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新型电子元器件技术的状况如何?
2014-06-30

  新型电子元器件技术状况


  
  片式R/L/C元件  :


  
  新产品中的介电层厚度是1.8m,内部电极的厚度是1.6m  。未来,把介电层厚度做成1m,并且逐渐把内电极做得更薄:1.2m   ,0.8m直至0.5m ,将能够提供电容量更大的产品 ,例如尺寸为1005的10F电容器 。又如TDK2012/1608叠层型片式电感器的电感量分别达到220/100H   。


  
  在工艺上也在发展 ,如:为了节省昂贵的金属钯(约20万元/公斤),国外各主要生产厂家都己开始采用价格较低的金属Ni(36元/公斤)或Cu作为内电极制作BME-MLCC,己占到总量的90%以上。Ni电极浆料成本约为钯电极浆料成本的60%,电容器成本可降低20%   ,成为当今MLCC生存竞争的热点  。我国在这方面刚刚起步   ,形势极其严峻。


  
  日本某公司采用Ni电极开发出B特性100F大容量多层陶瓷电容器  。该种多层陶瓷电容器   ,通过进一步进行材料超细化和高分散化  ,提高了可靠性。运用介质材料的薄层化和高精度叠层技术   ,数百层的叠层体与内部电极组合在一起,使介质成为无缺欠的烧结体,并采用独特的排胶和烧结技术来实现的 。
  
  

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